Тайваньская компания Nanya Technology, являющаяся крупнейшим производителем микросхем памяти DRAM, разработала свою стратегию для борьбы с дефицитом этой продукции на рынке. Для этого разработчик намерен потратить более 10 миллиардов долларов на строительство полупроводникового завода в городе Синьбэй в Тайване. Строительство планируется начать уже в конце текущего года, а закончить в 2023 году. Таким образом завод станет самым крупным проектом Nanya Technology.
Nanya Technology занимает одну из ведущих позиций на мировом рынке DRAM-памяти, уступая лишь явным лидерам на этом поприще. Компания предложила такое решение проблемы дефицита памяти на фоне новости аналитиков о том, что, из-за высокого спроса со стороны производителей персональных компьютеров и серверов, стоимость DRAM-чипов в ближайшее время вырастет на 18-23%, против прогнозируемых ранее 13-18%.