Китайская компания CXMT сообщила о своих планах по выпуску модулей памяти нового поколения с высокой пропускной способностью — HBM3E.
Эксперты отмечают, что необходимость начать выпуск новой памяти напрямую взаимосвязан с острой нехваткой чипов памяти в Китае. При этом стоит пояснить, что на данный момент при производстве памяти HBM3E к применению пригодно лишь более 20% чипов, сходящих с конвейера.
Компания CXMT называется крупнейшим производителем DRAM-памяти в Китае. Однако, из-за жёстких американских санкций, компания не может составить достойную конкуренцию таким гигантам рынка, как SK Hynix, Samsung и Micron Technology. Начать производство памяти HBM3E планируется в ближайшие 2 месяца.